삼성전자가 세계최초로 50나노급 공정을 적용한 4기가비트 DDR3 D램을 개발해 화제입니다.
지난 2007년 60나노 공정 2Gb DDR2 D램을 세계 최초로 개발해 고용량 D램의 시대를 열었던 것도 역시 삼성전자인데요,
지난해 9월 50나노 공정 2Gb DDR3 D램을 최초 개발한 데 이어, 5개월만에 두 배 용량인 4Gb DDR3 D램을 내놓았습니다. 4Gb DDR3 D램은 서버용 16기가바이트(Giga Byte) RDIMM, 워크스테이션과 데스크탑 PC용 8GB UDIMM, 노트북용 8GB SODIMM 등 대용량 모듈 개발에 적용되며, 패키지 적층 기술(DDP: Double Die Package)을 적용하면 32GB모듈 개발도 가능해 졌다고 합니다. 4Gb DDR3 D램은 기존의 기존 DDR3 D램 보다 20% 정도의 성능이 향상되었으며, 전력소비 측면에서도 강점을 보여 친환경적인 저전력 메모리를 표방한다고 합니다.
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