파나소닉, 새로운 MOS 센서 "Smart FSI" 발표

파나소닉은 12일 업계 최고라는 고감도 성능 등을 갖춘 새로운 MOS 이미지 센서 "SmartFSI"를 개발했다고 발표했다. 디지털 카메라에 12 월부터 양산한다.

파나소닉의 MOS 이미지 센서 "νMaicovicon"(뉴마이코비콘)의 고감도화와 품질의 균일성을 양립하게 하는 촬상 소자이다. 이번에 개발한 것은 1/2.33형 유효 약 1,420만 화소의 "MN34110"이다. 총 화소수 약 1,530만 화소. 화면 비율은 4:3으로, 화소 피치는 1.43 × 1.43μm (모두 잠정 사양). 순차적으로 시리즈를 전개 할 예정이다.

새로운 최첨단의 32nm 및 45nm공정 기술을 도입. 배선층의 박형화에 추가로 개구 면적과 포토 다이오드 부피의 확대를 도모했다. 그러면 MOS 이미지 센서로서 업계 최고가 되는 감도 3,050 el / lx / sec / μ 평방 m를 실현했다고한다.

포토 다이오드 부피의 확대는 인접한 화소의 포토 다이오드를 전기적으로 분리하는 소자 분리 형성의 저 데미지로 미세화를함으로써 노이즈를 억제했다.

이미지 센서는 on - chip 렌즈, 컬러 필터, 집광 구조를 통과하는 포토 다이오드에 빛이 도달한다. 그 때, 각 부재 끼리의 경계 면에서 빛의 누출이 발생한 혼색의 원인이된다. 입사광의 각도가 커질수록 이런 현상이 현저하게되지만, Smart FSI에서는 3차원 파동 분석을 이용하여 on - chip과 집광 구조를 최적 설계하는 새로운 집광 구조를 채용. 빛의 누출을 최소화할 수있는 것으로, 화질의 균일성이 높다고 여겨지는 CCD와 동등 이상의 품질을 달성했다고한다. 렌즈와 센서의 거리가 짧은 슬림형 카메라도 사진의 중심부와 주변부에서 얼룩과 휘도 편차를 줄일 수있다.

제조 공정이 단순한 전통적인 MOS 센서 구조를 기본으로하고 있기 때문에, 공급 안정성을 확보할 수 있다고 한다.